Transphorm stellt zwei 4-polige TO-247-Bauelemente vor und erweitert damit sein Produktportfolio für die Bereiche Hochleistungsserver, erneuerbare Energien und industrielle Energieumwandlung

Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), der weltweit führende Anbieter von robusten GaN-Leistungshalbleitern, gab heute die Verfügbarkeit von zwei neuen SuperGaN-Bauelementen in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse (TO-247-4L) bekannt. Die neuen FETs TP65H035G4YS und TP65H050G4YS bieten einen Durchlasswiderstand von 35 mOhm bzw. 50 mOhm und verfügen über einen Kelvin-Source-Anschluss, der den Kunden vielseitige Schaltmöglichkeiten bei noch geringeren Energieverlusten bietet. Die neuen Produkte werden in dem bewährten GaN-on-Silicon-Substrat-Herstellungsprozess von Transphorm gefertigt, der sich durch seine Kosteneffizienz und Zuverlässigkeit auszeichnet und gut für die Großserienfertigung auf Silizium-Produktionslinien geeignet ist. Der 50-mOhm-FET TP65H050G4YS ist bereits erhältlich, während der 35-mOhm-FET TP65H035G4YS derzeit bemustert wird und im ersten Quartal 2024 auf den Markt kommen soll.

Die 4-poligen SuperGaN-Bauelemente von Transphorm können als Original-Design-in-Option oder als Drop-in-Ersatz für 4-polige Silizium- und SiC-Lösungen dienen, die Stromversorgungen mit 1 Kilowatt und mehr in einer Vielzahl von Anwendungen in Rechenzentren, im Bereich der erneuerbaren Energien und in der Industrie unterstützen. Wie bereits erwähnt, bietet die 4-polige Konfiguration den Nutzern die Flexibilität, noch bessere Schaltleistungen zu erzielen. In einem hart geschalteten synchronen Aufwärtswandler verringerte der 4-polige SuperGaN-FET mit 35 mOhm die Verluste bei 50 Kilohertz (kHz) um 15 Prozent und bei 100 kHz um 27 Prozent, verglichen mit einem SiC-MOSFET-Bauelement mit vergleichbarem Durchlasswiderstand.

Die SuperGaN-FETs von Transphorm sind für ihre besonderen Vorteile bekannt, beispielsweise:

• Branchenführende Robustheit mit einer Gate-Schwellenspannung von +/- 20 V und einer Störfestigkeit von 4 V.
• Einfachere Designbarkeit durch Verringerung der erforderlichen Beschaltung des Bauelements.
• Einfachere Steuerbarkeit, da FETs mit bekannten, handelsüblichen Treibern für Siliziumbauelemente kombinierbar sind.

Die TO-247-4L-Bauteile bieten die gleiche Robustheit, Designbarkeit und Steuerbarkeit und haben folgende Kernspezifikationen:

Teilenummer	Vds (V) min	Rds(on) (mΩ) typ	Vth (V) typ	Id (25°C) (A) max	Gehäusevariante
TP65H035G4YS